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本文標題："氧化膜生長和微動碎屑細致的表面分析顯微鏡"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2017-6-25 0:50:47 本站主頁地址：http://m.f0211.cn
氧化膜生長和微動碎屑細致的表面分析顯微鏡
微動情況下電接觸的研究結果表明，接觸電阻劣化的方式與接
觸閉合狀態(tài)下發(fā)生氧化作用的方式相同。唯一的區(qū)別是后者的變量
是時間，而前者的變量是微動周期數。
對微動后的接觸區(qū)域進行了細致的表面分析，結果表明接觸劣
化的原因是接觸區(qū)域氧化膜的生長和微動碎屑。在閉合接觸時，表
面氧化物的生長是造成接觸劣化的主要機理。已經證明微動加速了
觸點的劣化。因此，將閉合接觸時的氧化一驅動接觸劣化的機理推
廣到微動條件下的接觸是有道理的。由于兩種情況下(閉合接觸有
或沒有微動)的劣化機理相同，即氧化劑擴散到接觸間隙，所以這
一假設是合理的。
觸點的氧化作用可看作類似于金屬中沿晶界的氧化作用的過程
。眾所周知，由于氧化劑離子沿晶界的擴散更密集充分，所以與金
屬基體中的氧化作用相比，沿晶界的氧化作用發(fā)生得更快，蔓延得
更深。需要指出的是，金屬的氧化是金屬離子通過氧化物擴散至表
面的結果
相似和極其不相似金屬的接觸面，晶界都是有利于離子遷移的
位置。因此有理由假設，接觸區(qū)域內氧化劑的擴散是觸點的氧化機
理之一。也就是說，觸點內形成的氧化膜的厚度與氧化物的濃度C
成正比。
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