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本文標(biāo)題："器件尺寸小于光學(xué)分辨率就需要使用電子顯微鏡"
新聞來(lái)源：未知 發(fā)布時(shí)間：2015-7-27 16:01:00 本站主頁(yè)地址：http://m.f0211.cn
器件尺寸小于光學(xué)分辨率就需要使用電子顯微鏡
光刻或光掩蔽是采用通常稱力“光刻膠”的感光材料，涂覆在
二氧化硅或鋁金屬化表面薄層上，開(kāi)出精確尺寸窗口的工藝。其操
作步驟是，將光刻膠涂覆在硅片表面+然后通過(guò)一塊精密的照相掩
模版對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，顯影光刻膠中的圖形，最后腐蝕二氧化硅
以開(kāi)出窗口。最近有的廠家采用改裝的掃描電子顯微鏡，由計(jì)算機(jī)
控制電子束對(duì)“電子光刻膠”進(jìn)行曝光。X射線亦可用來(lái)曝光光刻
膠。采用這兩種技術(shù)制造出來(lái)的器件尺寸小于光學(xué)分辨率的極限。
擴(kuò)散是在暴露于外表的硅中而不是在覆蓋的氧化層中進(jìn)行的。
當(dāng)用于淀積的金屬層時(shí)，不需要的區(qū)域被去除，僅留下電路“連線
”用的互連圖形。金屬化工藝中通常使用的是鋁。
因?yàn)橹圃斓湫偷碾p極型集成電路通常需要完成埋層擴(kuò)散、隔離
擴(kuò)散，基區(qū)與電阻器擴(kuò)散、發(fā)射區(qū)擴(kuò)散、連接電路元件的接觸窗口
(預(yù)歐姆)、互連圖形和鈍化層中的接觸壓點(diǎn)窗口這幾個(gè)操作步驟，
所以，制造完整的電路顯然至少需要七次光刻。由于電路所占的面
積很小(0．040至0．300平方英寸)，V話且元件尺寸的容差是以萬(wàn)
分之一英寸(0．0001英寸＝2．5微米)來(lái)計(jì)算的，故每次光刻的掩
模必須精確地套準(zhǔn)硅片上的圖形。此外，光刻工藝中的每一步都必
須仔細(xì)地進(jìn)行，以保持所需的尺寸控制。
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